本发明属于半导体工艺用清洁材料制备技术领域，具体涉及一种用于半导体制造基台的水基中性清洗液。
以质量百分数之和为100%计，该清洁液所用原料及其用量为：二元醇或二元醇醚5%~15%、吡咯烷酮类溶剂10%~25%、苄泽类表面活性剂1%~5%、烷基糖苷衍生物表面活性剂10%~20%、腐蚀抑制剂0.5%~1%，余量为水。
本发明所得水基中性清洗液针对光刻工艺中由线型酚醛树脂为主要构成的光刻胶及其配套的湿电子化学品类残留，不但有优异的清洗能力，而且对基台材料无腐蚀性，其清洗工艺简单，无毒无残留。

刘小勇 田博 侯琳熙 房龙翔

福建省佑达环保材料有限公司

362800 福建省泉州市泉港区天盈路8号

本发明属于半导体工艺用清洁材料制备技术领域，具体涉及一种用于半导体制造基台的水基中性清洗液。
以质量百分数之和为100%计，该清洁液所用原料及其用量为：二元醇或二元醇醚5%~15%、吡咯烷酮类溶剂10%~25%、苄泽类表面活性剂1%~5%、烷基糖苷衍生物表面活性剂10%~20%、腐蚀抑制剂0.5%~1%，余量为水。
本发明所得水基中性清洗液针对光刻工艺中由线型酚醛树脂为主要构成的光刻胶及其配套的湿电子化学品类残留，不但有优异的清洗能力，而且对基台材料无腐蚀性，其清洗工艺简单，无毒无残留。