本发明提供一种ZrNiSn基Half‑Heusler热电材料及其制备和调控反位缺陷的方法，ZrNiSn基Half‑Heusler热电材料的制备和调控反位缺陷的方法包括以下步骤：在氩气氛围或者密闭无氧环境中按照原子比1：1：1将Zr、Ni、Sn混合，将混合物料置于磁悬浮熔炼炉中熔炼得到铸锭，将铸锭研磨后干燥获得粉体，采用放电等离子体烧结技术将粉体烧结后至于真空容器中，热处理后淬火得到ZrNiSn基Half‑Heusler热电材料。
本发明所述方法流程短、步骤少、易控制，能成功的制备出具有反位缺陷的ZrNiSn单相Half‑Heusler热电材料。

康慧君 张宇博 王同敏 杨雄 郭恩宇 陈宗宁 李廷举 曹志强 卢一平 接金川

大连理工大学

116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

本发明提供一种ZrNiSn基Half‑Heusler热电材料及其制备和调控反位缺陷的方法，ZrNiSn基Half‑Heusler热电材料的制备和调控反位缺陷的方法包括以下步骤：在氩气氛围或者密闭无氧环境中按照原子比1：1：1将Zr、Ni、Sn混合，将混合物料置于磁悬浮熔炼炉中熔炼得到铸锭，将铸锭研磨后干燥获得粉体，采用放电等离子体烧结技术将粉体烧结后至于真空容器中，热处理后淬火得到ZrNiSn基Half‑Heusler热电材料。
本发明所述方法流程短、步骤少、易控制，能成功的制备出具有反位缺陷的ZrNiSn单相Half‑Heusler热电材料。