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专利摘要

本发明属于冶金除杂技术领域,特别涉及一种控电位脱除铜冶炼粗硒粉中铜、铅和碲的方法。
本发明提供了一种控电位脱除铜冶炼粗硒粉中铜、铅和碲的方法,包括以下步骤:将铜冶炼粗硒粉进行调浆,得到硒泥浆;将所述硒泥浆进行第一pH值调节后加入氧化剂至氧化电位,依次进行第一沉淀反应和第一过滤,脱除铜冶炼粗硒粉中的铜和铅,得到初级硒;所述氧化电位为400~800mV;将所述初级硒与还原剂混合至还原电位,进行第二pH值调节后,依次进行第二沉淀反应和第二过滤,脱除铜冶炼粗硒粉中的碲;所述还原电位为‑400~0mV。
测试结果表明,使用本发明提供的方法实现了铜冶炼粗硒粉中杂质铜、铅和碲的高效脱除。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010013602.6
申请日
2020-01-07
公开日
2020-05-08
公开号
CN111115589A
主分类号
/C/C21/ 化学;冶金
标准类别
铁的冶金
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

杨斌 邓聚海 陈秀敏 李一夫 郁青春 杨红卫 田阳 邓勇 王飞 熊恒 杨佳 查国正 吴鉴 蒋文龙 徐宝强 刘大春 孔祥峰 罗欢 黄大鑫 郭新宇

申请人

昆明理工大学

申请人地址

650504 云南省昆明市一二一大街文昌路68号

专利摘要

本发明属于冶金除杂技术领域,特别涉及一种控电位脱除铜冶炼粗硒粉中铜、铅和碲的方法。
本发明提供了一种控电位脱除铜冶炼粗硒粉中铜、铅和碲的方法,包括以下步骤:将铜冶炼粗硒粉进行调浆,得到硒泥浆;将所述硒泥浆进行第一pH值调节后加入氧化剂至氧化电位,依次进行第一沉淀反应和第一过滤,脱除铜冶炼粗硒粉中的铜和铅,得到初级硒;所述氧化电位为400~800mV;将所述初级硒与还原剂混合至还原电位,进行第二pH值调节后,依次进行第二沉淀反应和第二过滤,脱除铜冶炼粗硒粉中的碲;所述还原电位为‑400~0mV。
测试结果表明,使用本发明提供的方法实现了铜冶炼粗硒粉中杂质铜、铅和碲的高效脱除。

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