本发明属于三维闪存制造领域，更具体地，涉及一种基于钛钨合金栅电极的三维闪存存储器及其制备方法。
该三维闪存存储器包括三维交替层的堆叠体，所述交替层的堆叠体包括绝缘层和导电层，且位于基板之上；以及多个存储器堆叠体结构，其延伸穿过所述交替层的堆叠体；其中所述导电层包括控制栅电极，所述控制栅电极的材料为钛钨合金。
所述三维闪存包括多个垂直存储串，并且存储串的每一层公用栅电极，并且此栅电极采用阶梯形式引出。
本方法适用于在预先制备好字线等等外围电路上制备连接控制栅层的栅电极结构。
本发明中提出的钛钨合金栅材料具有稳定的物理化学性质，可以有效降低随着堆叠层数增加产生的应力，从而保证存储阵列的稳定性。

缪向水 钱航 童浩

华中科技大学

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

本发明属于三维闪存制造领域，更具体地，涉及一种基于钛钨合金栅电极的三维闪存存储器及其制备方法。
该三维闪存存储器包括三维交替层的堆叠体，所述交替层的堆叠体包括绝缘层和导电层，且位于基板之上；以及多个存储器堆叠体结构，其延伸穿过所述交替层的堆叠体；其中所述导电层包括控制栅电极，所述控制栅电极的材料为钛钨合金。
所述三维闪存包括多个垂直存储串，并且存储串的每一层公用栅电极，并且此栅电极采用阶梯形式引出。
本方法适用于在预先制备好字线等等外围电路上制备连接控制栅层的栅电极结构。
本发明中提出的钛钨合金栅材料具有稳定的物理化学性质，可以有效降低随着堆叠层数增加产生的应力，从而保证存储阵列的稳定性。