本发明公开了一种管式直接PECVD制备太阳电池SiC减反射膜的方法，包括以下步骤：对硅片进行制绒，所得硅片于管式PECVD设备炉管中沉积SiC减反射膜；冷却，取出硅片，完成对SiC减反射膜的制备。
本发明方法通过利用管式PECVD设备并改良工艺步骤和工艺参数，在无需改变设备的条件下，可以兼容现有的产线设备实现SiC减反射膜的沉积，不仅有利于提高旧产线或旧设备的利用率，具有量产门槛低的优点，同时还具有工设备投资成本低、制备成本低等优点，且由此制得的SiC减反射膜表现出较好的性能，如较低的吸光率、较高的电导率，从而有利于制备得到高光电转换效率的太阳电池，对于实现太阳电池的广泛应用具有十分重要的意义。

周子游

湖南红太阳光电科技有限公司

410205 湖南省长沙市高新开发区桐梓坡西路586号

本发明公开了一种管式直接PECVD制备太阳电池SiC减反射膜的方法，包括以下步骤：对硅片进行制绒，所得硅片于管式PECVD设备炉管中沉积SiC减反射膜；冷却，取出硅片，完成对SiC减反射膜的制备。
本发明方法通过利用管式PECVD设备并改良工艺步骤和工艺参数，在无需改变设备的条件下，可以兼容现有的产线设备实现SiC减反射膜的沉积，不仅有利于提高旧产线或旧设备的利用率，具有量产门槛低的优点，同时还具有工设备投资成本低、制备成本低等优点，且由此制得的SiC减反射膜表现出较好的性能，如较低的吸光率、较高的电导率，从而有利于制备得到高光电转换效率的太阳电池，对于实现太阳电池的广泛应用具有十分重要的意义。