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专利摘要

本发明公开了一种原子层沉积设备及方法,该设备包括反应腔室、尾气处理装置、多条传输管路、多条尾气处理管路、多条吹扫支路以及多个前驱体源瓶,其中,每条传输管路均连接至反应腔室,以将所对应的前驱体选择性地通入反应腔室;每条尾气处理管路均连接至尾气处理装置,且每条尾气处理管路均通过对应的吹扫支路与一条传输管路连接;每条尾气处理管路均选择性地与尾气处理装置或传输管路连通。
本发明通过增加吹扫旁路,加大吹扫气体的流量,可有效降低吹扫时间,提高设备产能,节约成本;并且采用渐变气流场的吹扫方式,更有利于残留前驱体或颗粒的去除,避免产生工艺颗粒,提高薄膜质量。

专利状态

基础信息

专利号
CN201810372755.2
申请日
2018-04-24
公开日
2021-07-13
公开号
CN110396676B
主分类号
/C/C23/ 化学;冶金
标准类别
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

赵雷超 史小平 李春雷 秦海丰 纪红 张文强

申请人

北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

专利摘要

本发明公开了一种原子层沉积设备及方法,该设备包括反应腔室、尾气处理装置、多条传输管路、多条尾气处理管路、多条吹扫支路以及多个前驱体源瓶,其中,每条传输管路均连接至反应腔室,以将所对应的前驱体选择性地通入反应腔室;每条尾气处理管路均连接至尾气处理装置,且每条尾气处理管路均通过对应的吹扫支路与一条传输管路连接;每条尾气处理管路均选择性地与尾气处理装置或传输管路连通。
本发明通过增加吹扫旁路,加大吹扫气体的流量,可有效降低吹扫时间,提高设备产能,节约成本;并且采用渐变气流场的吹扫方式,更有利于残留前驱体或颗粒的去除,避免产生工艺颗粒,提高薄膜质量。

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