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专利摘要

一种制造陶瓷基质复合物构件(10)的工艺(500)。
工艺(500)包括将多个陶瓷基质复合物板层(60)定位成一个在另一个顶部上,以及在其中形成腔体。
腔体的至少一部分包括末端直径(510),其足够小,以容许密实化材料的浸渗。
多个陶瓷基质复合物板层(60)被密实化,以形成密实化本体。
密实化导致腔体的包括末端直径(510)的部分被填充密实化材料,并且腔体存在于密实化本体中。
还公开在其中具有腔体的陶瓷基质复合物。

专利状态

基础信息

专利号
CN201610966377.1
申请日
2016-10-28
公开日
2017-08-11
公开号
CN107034444A
主分类号
/C/C23/ 化学;冶金
标准类别
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

J.J.基特尔森 V.J.摩根

申请人

通用电气公司

申请人地址

美国纽约州

专利摘要

一种制造陶瓷基质复合物构件(10)的工艺(500)。
工艺(500)包括将多个陶瓷基质复合物板层(60)定位成一个在另一个顶部上,以及在其中形成腔体。
腔体的至少一部分包括末端直径(510),其足够小,以容许密实化材料的浸渗。
多个陶瓷基质复合物板层(60)被密实化,以形成密实化本体。
密实化导致腔体的包括末端直径(510)的部分被填充密实化材料,并且腔体存在于密实化本体中。
还公开在其中具有腔体的陶瓷基质复合物。

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