本发明提供一种HVPE用气体传输装置、反应腔及HVPE设备，其中，所述HVPE用气体传输装置至少包括：含金属前驱物气体通路管道，屏蔽气体通路管道，以及含氮前驱物气体通路管道；其中：所述含氮前驱物气体通路管道套设于所述屏蔽气体通路管道外，所述屏蔽气体通路管道套设于所述含金属前驱物气体通路管道外，形成同轴三套管结构；所述含金属前驱物气体通路管道近出口处设有孔状封端。
本发明提高了含氮前驱物气体与含金属前驱物气体混合的均匀性，并提高了气流均匀性，从而提高了在衬底表面生长的外延层厚度及其组分的均匀性，同时避免了含金属前驱物气体与含氮前驱物气体在气体传输装置的出口处附生生长。

特洛伊·乔纳森·贝克 谢宇 罗晓菊 王颖慧

镓特半导体科技(上海)有限公司

201306 上海市浦东新区泥城镇新城路2号23幢N1128室

本发明提供一种HVPE用气体传输装置、反应腔及HVPE设备，其中，所述HVPE用气体传输装置至少包括：含金属前驱物气体通路管道，屏蔽气体通路管道，以及含氮前驱物气体通路管道；其中：所述含氮前驱物气体通路管道套设于所述屏蔽气体通路管道外，所述屏蔽气体通路管道套设于所述含金属前驱物气体通路管道外，形成同轴三套管结构；所述含金属前驱物气体通路管道近出口处设有孔状封端。
本发明提高了含氮前驱物气体与含金属前驱物气体混合的均匀性，并提高了气流均匀性，从而提高了在衬底表面生长的外延层厚度及其组分的均匀性，同时避免了含金属前驱物气体与含氮前驱物气体在气体传输装置的出口处附生生长。