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专利摘要

本发明公开了一种控制反应气体进入真空反应腔的方法,所述方法包括:提供一刻蚀气体源和一沉积气体源,在所述刻蚀气体源和所述沉积气体源后端分别连接一气体流量控制装置,在每个所述气体流量控制装置后端分别连接两个控制阀门,每个所述气体流量控制装置后端的一个控制阀门连接一排气装置,另一控制阀门与真空反应腔相连;控制所述气体流量控制装置在小于1秒的时间内在高、低气体流量状态之间切换;当所述气体流量控制装置切换到高气体流量状态时,控制该所述气体流量控制装置后端与所述排气装置连接的控制阀门关闭,同时控制该所述气体流量控制装置后端与所述真空反应腔相连的控制阀门的打开时间延迟一定时间,以避开反应气体的激增状态。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910406800.6
申请日
2013-12-30
公开日
2021-07-09
公开号
CN110137069B
主分类号
/C/C23/ 化学;冶金
标准类别
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

周旭升

申请人

中微半导体设备(上海)股份有限公司

申请人地址

201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号

专利摘要

本发明公开了一种控制反应气体进入真空反应腔的方法,所述方法包括:提供一刻蚀气体源和一沉积气体源,在所述刻蚀气体源和所述沉积气体源后端分别连接一气体流量控制装置,在每个所述气体流量控制装置后端分别连接两个控制阀门,每个所述气体流量控制装置后端的一个控制阀门连接一排气装置,另一控制阀门与真空反应腔相连;控制所述气体流量控制装置在小于1秒的时间内在高、低气体流量状态之间切换;当所述气体流量控制装置切换到高气体流量状态时,控制该所述气体流量控制装置后端与所述排气装置连接的控制阀门关闭,同时控制该所述气体流量控制装置后端与所述真空反应腔相连的控制阀门的打开时间延迟一定时间,以避开反应气体的激增状态。

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