本发明涉及微结构加工技术领域，具体涉及一种周期性排布的微纳金属颗粒的制备方法。
本发明利用非晶半导体/金属膜在一定温度下会晶化，从而发生分形缩聚的现象；将模板去润湿法和锗的分形缩聚特性相结合。
首先利用光刻和等离子体刻蚀工艺在基片上获得所需的周期结构图形，再溅射金属薄膜和Ge薄膜，利用Ge在一定温度下发生结晶而产生分形缩聚，并提供能量促进金属原子的迁移，从而形成周期分布的大尺寸微纳金属颗粒。
相比之下，本发明基于模板去润湿法和锗膜的分形缩聚特性，对获得的微纳金属颗粒的分布实现了较为精准的控制，并避免了现有技术制备工艺复杂、成本高等问题。

周佩珩 蒋若梅 王睿 刘彦宁 邓龙江

电子科技大学

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

本发明涉及微结构加工技术领域，具体涉及一种周期性排布的微纳金属颗粒的制备方法。
本发明利用非晶半导体/金属膜在一定温度下会晶化，从而发生分形缩聚的现象；将模板去润湿法和锗的分形缩聚特性相结合。
首先利用光刻和等离子体刻蚀工艺在基片上获得所需的周期结构图形，再溅射金属薄膜和Ge薄膜，利用Ge在一定温度下发生结晶而产生分形缩聚，并提供能量促进金属原子的迁移，从而形成周期分布的大尺寸微纳金属颗粒。
相比之下，本发明基于模板去润湿法和锗膜的分形缩聚特性，对获得的微纳金属颗粒的分布实现了较为精准的控制，并避免了现有技术制备工艺复杂、成本高等问题。