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专利摘要

本发明提供了一种在钨材料表面制备微纳结构的方法和表面具有微纳结构的钨材料及其应用,属于材料表面微结构技术领域。
本发明提供的在钨材料表面制备微纳结构的方法,包括以下步骤:在真空条件下,采用氦离子显微镜在钨材料的表面进行第一离子刻蚀,得到刻蚀微区;在真空条件下,采用氦离子显微镜对所述刻蚀微区进行第二离子刻蚀,在所述刻蚀微区内形成纳米条纹,在钨材料表面得到微纳结构。
本发明提供的制备方法在真空条件下操作,不易受污染;氦离子显微镜具有超高精度的多功能的加工能力,采用氦离子显微镜进行制备的微纳结构精确高;能够实现对微纳结构的定量控制;而且工艺简单、成本低。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910495103.2
申请日
2019-06-10
公开日
2021-05-04
公开号
CN110055540B
主分类号
/C/C23/ 化学;冶金
标准类别
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

马玉田 刘俊标 韩立

申请人

中国科学院电工研究所

申请人地址

100190 北京市海淀区中关村北二条6号中科院电工所

专利摘要

本发明提供了一种在钨材料表面制备微纳结构的方法和表面具有微纳结构的钨材料及其应用,属于材料表面微结构技术领域。
本发明提供的在钨材料表面制备微纳结构的方法,包括以下步骤:在真空条件下,采用氦离子显微镜在钨材料的表面进行第一离子刻蚀,得到刻蚀微区;在真空条件下,采用氦离子显微镜对所述刻蚀微区进行第二离子刻蚀,在所述刻蚀微区内形成纳米条纹,在钨材料表面得到微纳结构。
本发明提供的制备方法在真空条件下操作,不易受污染;氦离子显微镜具有超高精度的多功能的加工能力,采用氦离子显微镜进行制备的微纳结构精确高;能够实现对微纳结构的定量控制;而且工艺简单、成本低。

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