本发明提出了一种通过抗坏血酸部分还原硫化铋制造硫空位的方法，还原后的硫化铋纳米线宽度在50‑300纳米，长度在100‑200微米。
该材料可以作为电催化二氧化碳还原的活性材料，利用硫空位对二氧化碳还原活性中间体的特异性吸附，表现出优异的甲酸产物选择性。
本发明具有工艺简单、反应条件温和、材料电化学性能优异等特点。

麦立强 朱杰鑫 杨雯暄 韩春华

武汉理工大学

430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

本发明提出了一种通过抗坏血酸部分还原硫化铋制造硫空位的方法，还原后的硫化铋纳米线宽度在50‑300纳米，长度在100‑200微米。
该材料可以作为电催化二氧化碳还原的活性材料，利用硫空位对二氧化碳还原活性中间体的特异性吸附，表现出优异的甲酸产物选择性。
本发明具有工艺简单、反应条件温和、材料电化学性能优异等特点。