一种多孔III族氮化物及其制备方法,该制备方法包括:在掺杂的III族氮化物薄膜表面沉积一层保护层;利用光刻技术在保护层上表面形成图案化的光刻胶;刻蚀没有光刻胶覆盖的保护层至III族氮化物薄膜表面,暴露III族氮化物;刻蚀暴露的III族氮化物表面至预设深度;将所得III族氮化物作为阳极,进行电化学腐蚀,电化学腐蚀期间施加周期性变化的工作电压,制备具有准周期性的多孔III族氮化物。
本发明可成功制备具有准周期性的多孔III族氮化物,通过控制电化学腐蚀过程中工作电压的大小及电压变化周期,可实现孔大小、孔的形状以及周期的调控,方法简单且易操作。
赵丽霞 李晓东
中国科学院半导体研究所
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
一种多孔III族氮化物及其制备方法,该制备方法包括:在掺杂的III族氮化物薄膜表面沉积一层保护层;利用光刻技术在保护层上表面形成图案化的光刻胶;刻蚀没有光刻胶覆盖的保护层至III族氮化物薄膜表面,暴露III族氮化物;刻蚀暴露的III族氮化物表面至预设深度;将所得III族氮化物作为阳极,进行电化学腐蚀,电化学腐蚀期间施加周期性变化的工作电压,制备具有准周期性的多孔III族氮化物。
本发明可成功制备具有准周期性的多孔III族氮化物,通过控制电化学腐蚀过程中工作电压的大小及电压变化周期,可实现孔大小、孔的形状以及周期的调控,方法简单且易操作。