本发明涉及一种通过FZ法拉制单晶的方法，其中多晶(100)通过电磁熔化装置熔化然后再结晶，其中在第一阶段中所述多晶(100)的下端通过熔化装置熔化，其中在第二阶段中，单晶晶种(140)附着到所述多晶(100)的下端，其中在第三阶段中，在所述晶种(140)的下部和在多晶体(100)之间，形成直径小于所述晶种(140)的直径的细颈区域，其中在第三阶段之前，所述熔化装置(300)的功率根据在所述晶种(140)部分上液体材料与固体材料之间的下相界(PU)的位置至少暂时地动态调整，并且在第三阶段期间熔化装置的功率根据在多晶(100)部分上液体材料与固体材料之间的上相界(PO)的位置至少暂时地动态调整，以及涉及一种相应的设备。

T·施勒克

硅电子股份公司

德国慕尼黑

本发明涉及一种通过FZ法拉制单晶的方法，其中多晶(100)通过电磁熔化装置熔化然后再结晶，其中在第一阶段中所述多晶(100)的下端通过熔化装置熔化，其中在第二阶段中，单晶晶种(140)附着到所述多晶(100)的下端，其中在第三阶段中，在所述晶种(140)的下部和在多晶体(100)之间，形成直径小于所述晶种(140)的直径的细颈区域，其中在第三阶段之前，所述熔化装置(300)的功率根据在所述晶种(140)部分上液体材料与固体材料之间的下相界(PU)的位置至少暂时地动态调整，并且在第三阶段期间熔化装置的功率根据在多晶(100)部分上液体材料与固体材料之间的上相界(PO)的位置至少暂时地动态调整，以及涉及一种相应的设备。