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专利摘要

本发明公开了一种工位可独立控制的多坩埚晶体生长炉及控制方法,包括单独升降装置和联动升降装置,单独升降装置和联动升降装置上分别连接有单独支撑板和联动支撑架,且单独支撑板位于联动支撑架下侧,联动支撑架上均匀设置有若干工位孔,工位孔中设置有坩埚引下装置,联动支撑架上还设置有能够将坩埚引下装置支撑在工位孔中的坩埚支撑架,坩埚引下装置上部穿插设置在炉体中,炉体的底部设置有供坩埚引下装置穿过的炉口,坩埚引下装置内部设置有坩埚,外侧套设有均温管,均温管外侧套设有环形发热体,环形发热体通过温控系统进行联动控制或单独控制,还包括能够将坩埚引下装置在炉体中的空间进行隔离的工位隔热装置。

专利状态

基础信息

专利号
CN201911348765.3
申请日
2019-12-24
公开日
2021-04-20
公开号
CN110923802B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

郭海生 宋克鑫 王富贵 徐卓 李飞 栾鹏 庄永勇

申请人

西安交通大学

申请人地址

710049 陕西省西安市咸宁西路28号

专利摘要

本发明公开了一种工位可独立控制的多坩埚晶体生长炉及控制方法,包括单独升降装置和联动升降装置,单独升降装置和联动升降装置上分别连接有单独支撑板和联动支撑架,且单独支撑板位于联动支撑架下侧,联动支撑架上均匀设置有若干工位孔,工位孔中设置有坩埚引下装置,联动支撑架上还设置有能够将坩埚引下装置支撑在工位孔中的坩埚支撑架,坩埚引下装置上部穿插设置在炉体中,炉体的底部设置有供坩埚引下装置穿过的炉口,坩埚引下装置内部设置有坩埚,外侧套设有均温管,均温管外侧套设有环形发热体,环形发热体通过温控系统进行联动控制或单独控制,还包括能够将坩埚引下装置在炉体中的空间进行隔离的工位隔热装置。

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