本发明公开了一种新型氮化铝自成核生长方法，该方法包括：1)氮化铝自成核生长的前期升温过程采用保护层对料源和晶体生长点进行隔离，将保护层插在籽晶盖和料源之间；2)从1850℃‑2150℃温度区间，以40℃/h的速率慢速升温到氮化铝成核窗口温度2150℃‑2200℃；升温过程中，压力保持为150KPa不变；3)使温度处于2150℃‑2200℃之间，将压力降到80000‑90000Pa之间,氮化铝开始成核生长，维持生长时间30h；4)1h内将温度从2150℃‑2200℃降到1500℃，同时将炉内充入氩气。
本申请实施简单，通过在料源和籽晶盖之间插入晶片保护层的方法，避免了在达到最佳C轴(0001)晶体生长温场前，氮化铝在碳化钽籽晶盖上过早成核造成的成核点过多的现象。
该方案造价低，重复性高，效果明显。

杨丽雯 程章勇 刘欣宇

北京华进创威电子有限公司

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本发明公开了一种新型氮化铝自成核生长方法，该方法包括：1)氮化铝自成核生长的前期升温过程采用保护层对料源和晶体生长点进行隔离，将保护层插在籽晶盖和料源之间；2)从1850℃‑2150℃温度区间，以40℃/h的速率慢速升温到氮化铝成核窗口温度2150℃‑2200℃；升温过程中，压力保持为150KPa不变；3)使温度处于2150℃‑2200℃之间，将压力降到80000‑90000Pa之间,氮化铝开始成核生长，维持生长时间30h；4)1h内将温度从2150℃‑2200℃降到1500℃，同时将炉内充入氩气。
本申请实施简单，通过在料源和籽晶盖之间插入晶片保护层的方法，避免了在达到最佳C轴(0001)晶体生长温场前，氮化铝在碳化钽籽晶盖上过早成核造成的成核点过多的现象。
该方案造价低，重复性高，效果明显。