一种利用管式炉生长大面积单晶二氧化钒薄膜的方法 下载此专利PDF版本

CN201611107754.2 薄膜 大面积 生长 利用 方法

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专利摘要

本发明公开了一种利用管式炉生长大面积单晶二氧化钒薄膜的方法，在一定厚度的SiO

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 授权

基础信息

专利号
CN201611107754.2
申请日
2016-12-06
公开日
2019-05-21
公开号
CN106637404B
主分类号
/C/C30/ 化学；冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
授权

发明人

卜毅 邹继军 朱志甫 邓文娟 刘云

申请人

东华理工大学

申请人地址

330013 江西省南昌市经开区广兰大道418号

专利摘要

本发明公开了一种利用管式炉生长大面积单晶二氧化钒薄膜的方法，在一定厚度的SiO

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