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专利摘要

一种降低LBO晶体体吸收的晶体生长方法及其制备的晶体,方法为采用硼酸和碳酸锂为原料,采用束腰形铂金坩埚和铂籽晶杆为生长装置,铂籽晶杆上具有多片平行且倾斜向上的铂片,束腰形铂金坩埚为中间小,两端大,上下左右呈轴对称结构。
本发明在铂籽晶杆上面设置多片平行的铂片,以给该铂杆进行散热,从而降低吸收值;铂片以倾斜向上的方式设计,既又不影响籽晶下种以及观察晶体生长过程,又防止了挥发物的掉入;特殊设计的束腰形铂金坩埚,利用两端大,中间小形成的特殊温场,避免特定的铂籽晶杆对温度场的影响,同时保持加快熔体流动,降低硼酸体系粘度,减少晶体包络,提高了晶体质量。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010950232.9
申请日
2020-09-11
公开日
2020-12-25
公开号
CN112126980A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

王昌运 陈伟 张星 陈秋华

申请人

福建福晶科技股份有限公司

申请人地址

350003 福建省福州市软件大道89号F区9号楼

专利摘要

一种降低LBO晶体体吸收的晶体生长方法及其制备的晶体,方法为采用硼酸和碳酸锂为原料,采用束腰形铂金坩埚和铂籽晶杆为生长装置,铂籽晶杆上具有多片平行且倾斜向上的铂片,束腰形铂金坩埚为中间小,两端大,上下左右呈轴对称结构。
本发明在铂籽晶杆上面设置多片平行的铂片,以给该铂杆进行散热,从而降低吸收值;铂片以倾斜向上的方式设计,既又不影响籽晶下种以及观察晶体生长过程,又防止了挥发物的掉入;特殊设计的束腰形铂金坩埚,利用两端大,中间小形成的特殊温场,避免特定的铂籽晶杆对温度场的影响,同时保持加快熔体流动,降低硼酸体系粘度,减少晶体包络,提高了晶体质量。

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