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专利摘要

本发明涉及一种移动式区域熔炼制备单晶金属氘化物的方法,属于材料科学与核技术领域。
目的是为了解决单晶金属氘化物难以制备、无法大规模制备、单晶纯度低等问题。
本发明无需复杂昂贵的设备,生产操作简单,利用现有生产装置简单改造即可完成对单晶金属氘化物的制备,而且安全系数高,制备条件容易控制;制备过程在氘气氛保护下进行,不会产生高温环境下氘气逃逸现象,保证了冷却结晶过程中得到高纯单晶金属氘化物。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010899018.5
申请日
2020-08-31
公开日
2021-01-12
公开号
CN112210818A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

刘吉平 李年华

申请人

北京理工大学

申请人地址

100081 北京市海淀区中关村南大街5号

专利摘要

本发明涉及一种移动式区域熔炼制备单晶金属氘化物的方法,属于材料科学与核技术领域。
目的是为了解决单晶金属氘化物难以制备、无法大规模制备、单晶纯度低等问题。
本发明无需复杂昂贵的设备,生产操作简单,利用现有生产装置简单改造即可完成对单晶金属氘化物的制备,而且安全系数高,制备条件容易控制;制备过程在氘气氛保护下进行,不会产生高温环境下氘气逃逸现象,保证了冷却结晶过程中得到高纯单晶金属氘化物。

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