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专利摘要

一种非互易自旋波波导材料及其制备方法和应用,属于新材料技术领域。
所述非互易自旋波波导材料包括GGG单晶基片,以及依次形成于基片之上的钇铁石榴石单晶薄膜和稀土薄膜,其中,所述稀土薄膜为Dy、Tm、Lu、Nd等。
本发明YIG/稀土异质结薄膜相对于单一YIG薄膜,其上下表面传输的自旋波具有显著的非互易性,即上下表面传播的自旋波幅值和峰位均发生了显著变化。
另一方面,本发明自旋波波导材料的厚度与单层YIG薄膜相比,并未发生明显改变,仅在YIG表面覆盖一层纳米厚度的稀土薄膜,为非互易性自旋波波导材料的研究和制备提供了一种新方案,在自旋电子学、自旋波波导、自旋波逻辑器件、量子计算等众多领域有广泛的应用前景。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910638571.0
申请日
2019-07-16
公开日
2021-03-30
公开号
CN110373713B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

金立川 贾侃成 李之仪 张怀武 唐晓莉 钟智勇 向全军

申请人

电子科技大学

申请人地址

611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

专利摘要

一种非互易自旋波波导材料及其制备方法和应用,属于新材料技术领域。
所述非互易自旋波波导材料包括GGG单晶基片,以及依次形成于基片之上的钇铁石榴石单晶薄膜和稀土薄膜,其中,所述稀土薄膜为Dy、Tm、Lu、Nd等。
本发明YIG/稀土异质结薄膜相对于单一YIG薄膜,其上下表面传输的自旋波具有显著的非互易性,即上下表面传播的自旋波幅值和峰位均发生了显著变化。
另一方面,本发明自旋波波导材料的厚度与单层YIG薄膜相比,并未发生明显改变,仅在YIG表面覆盖一层纳米厚度的稀土薄膜,为非互易性自旋波波导材料的研究和制备提供了一种新方案,在自旋电子学、自旋波波导、自旋波逻辑器件、量子计算等众多领域有广泛的应用前景。

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