本发明公开一种高结晶SiC纤维的制备方法，包括以下步骤：将聚碳硅烷纤维在含硼气体、含氧气体和氦气的混合气氛下进行电子束辐照交联得到不熔化纤维；将所述不熔化纤维在惰性气氛中高温烧成，制得高结晶的SiC纤维。
与现有的SiC纤维制备方法相比，本发明提供的一种高结晶SiC纤维的制备方法可实现在一个工艺步骤中完成聚碳硅烷纤维的不熔化和硼元素的引入、辐照交联效率高，同时对环境危害小、生产成本低，在工程化制备上有很好的应用前景。
利用本发明的制备方法制得的高结晶SiC纤维的氧含量为0.18～0.38wt％，碳硅原子比为(1.01～1.10):1，强度为2.51～3.16GPa，模量为352～417GPa，纤维中SiC晶粒尺寸为30.5～50.4nm。

王小宙 王浩 王军 简科 邵长伟

中国人民解放军国防科技大学

410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号

本发明公开一种高结晶SiC纤维的制备方法，包括以下步骤：将聚碳硅烷纤维在含硼气体、含氧气体和氦气的混合气氛下进行电子束辐照交联得到不熔化纤维；将所述不熔化纤维在惰性气氛中高温烧成，制得高结晶的SiC纤维。
与现有的SiC纤维制备方法相比，本发明提供的一种高结晶SiC纤维的制备方法可实现在一个工艺步骤中完成聚碳硅烷纤维的不熔化和硼元素的引入、辐照交联效率高，同时对环境危害小、生产成本低，在工程化制备上有很好的应用前景。
利用本发明的制备方法制得的高结晶SiC纤维的氧含量为0.18～0.38wt％，碳硅原子比为(1.01～1.10):1，强度为2.51～3.16GPa，模量为352～417GPa，纤维中SiC晶粒尺寸为30.5～50.4nm。