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专利摘要

本发明公开了一种抗菌性防辐射无纺布及其制备方法。
本发明以聚丙烯纤维和中空碳化硅纤维所制备的杂化纤维为主体,并加入改性甲基纤维素提高中空碳化硅纤维的分散性,使其形成连续的导体,同时利用中空碳化硅纤维本身的导电性以及改性甲基纤维素的抗静电性,协同提高无纺布对辐射的吸收损耗,从而提高无纺布的防辐射性能;利用中空碳化硅纤维和细菌纤维素自身的结构,使两者结构相互穿插,扩大辐射的反射面积,从而增加辐射反射损耗,提高无纺布的防辐射性能;此外利用缩水十六烷基醚、缩水三甲基氯化铵中一种或两种活性剂将细菌纤维素表面的羟基质子化,同时引入季铵盐基团或烷基链基团,从而使得无纺布具有抗菌性。

专利状态

基础信息

专利号
CN202011135785.5
申请日
2020-10-22
公开日
2021-01-29
公开号
CN112281309A
主分类号
/DD/D04/ 纺织;造纸
标准类别
编织;花边制作;针织;饰带;非织造布
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

任赞平 顾峰钢 任建清 任禹建 顾国新 郭静 戴佳淼 张卫卫 蒋海江 顾晓萍 李君 姚雪艳

申请人

江阴市中兴无纺布有限公司

申请人地址

214414 江苏省无锡市江阴市顾山镇锡张路158号

专利摘要

本发明公开了一种抗菌性防辐射无纺布及其制备方法。
本发明以聚丙烯纤维和中空碳化硅纤维所制备的杂化纤维为主体,并加入改性甲基纤维素提高中空碳化硅纤维的分散性,使其形成连续的导体,同时利用中空碳化硅纤维本身的导电性以及改性甲基纤维素的抗静电性,协同提高无纺布对辐射的吸收损耗,从而提高无纺布的防辐射性能;利用中空碳化硅纤维和细菌纤维素自身的结构,使两者结构相互穿插,扩大辐射的反射面积,从而增加辐射反射损耗,提高无纺布的防辐射性能;此外利用缩水十六烷基醚、缩水三甲基氯化铵中一种或两种活性剂将细菌纤维素表面的羟基质子化,同时引入季铵盐基团或烷基链基团,从而使得无纺布具有抗菌性。

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