本发明属于SiC纳米线制备领域，公开一种在碳化硅纤维表面原位生长碳化硅纳米线的方法，首先在SiC纤维表面利用酚醛树脂热解产物预合成一层特定厚度和粗糙度的碳层，来实现对SiC纤维改性，进而利用溶胶凝胶反应在SiC纤维表面原位合成高纯度、分散均匀的SiC纳米线。
本发明通过在SiC纤维表面预合成一层碳层可以改善SiC纤维表面光滑不利于合成纳米相的问题，同时，预合成的碳层可以为后续SiC纳米线的生长补充碳源，提高纳米线的产量；另外，本发明利用溶胶凝胶反应合成SiC纳米线，可通过均一的硅源来保证纳米线在SiC纤维间隙及表面分布的均匀性，同时无需引入金属催化剂，最终实现高纯度SiC纳米线的低成本制备。

张琪悦 李露 马朝利 孙冰

北京航空航天大学

100191 北京市海淀区学院路37号

本发明属于SiC纳米线制备领域，公开一种在碳化硅纤维表面原位生长碳化硅纳米线的方法，首先在SiC纤维表面利用酚醛树脂热解产物预合成一层特定厚度和粗糙度的碳层，来实现对SiC纤维改性，进而利用溶胶凝胶反应在SiC纤维表面原位合成高纯度、分散均匀的SiC纳米线。
本发明通过在SiC纤维表面预合成一层碳层可以改善SiC纤维表面光滑不利于合成纳米相的问题，同时，预合成的碳层可以为后续SiC纳米线的生长补充碳源，提高纳米线的产量；另外，本发明利用溶胶凝胶反应合成SiC纳米线，可通过均一的硅源来保证纳米线在SiC纤维间隙及表面分布的均匀性，同时无需引入金属催化剂，最终实现高纯度SiC纳米线的低成本制备。