本发明说明了一种通过在选择性催化还原系统中的通常发生流量偏差的区域中包括挡板构件来改善流体的流量偏差的技术。

李俊荣 朴钟赫 崔峻源 刘昶埙 林艺勋

株式会社LG化学

韩国首尔

本发明说明了一种通过在选择性催化还原系统中的通常发生流量偏差的区域中包括挡板构件来改善流体的流量偏差的技术。