本发明公开了一种基于SOI工艺的场发射离子中和器芯片的制造方法,包括以下步骤:(1)准备表面抛光的SOI衬底;(2)使用光刻和刻蚀工艺去除目标区域的顶层硅及二氧化硅绝缘层,暴露底层硅;(3)在底层硅上得到阵列式的光刻胶图案,并沉积缓冲层和催化剂层,形成缓冲层‑催化剂层阵列;(4)形成碳纳米管阵列得到阴极部分;(5)采用硅片作为栅极基底制备阵列式的透孔结构;(6)在透孔结构上沉积金属薄膜,得到阳极部分;(7)将阴极部分与阳极部分两者键合,得到场发射离子中和器芯片。
本发明通过对制备方法整体流程工艺的设计等进行改进,得到的器件能有效克服场屏蔽效应与热效应,具有发射效率佳、功耗低和寿命长的优点。
肖东阳 孙雷蒙 涂良成 宋培义 匡双阳 王玉容
华中科技大学
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
本发明公开了一种基于SOI工艺的场发射离子中和器芯片的制造方法,包括以下步骤:(1)准备表面抛光的SOI衬底;(2)使用光刻和刻蚀工艺去除目标区域的顶层硅及二氧化硅绝缘层,暴露底层硅;(3)在底层硅上得到阵列式的光刻胶图案,并沉积缓冲层和催化剂层,形成缓冲层‑催化剂层阵列;(4)形成碳纳米管阵列得到阴极部分;(5)采用硅片作为栅极基底制备阵列式的透孔结构;(6)在透孔结构上沉积金属薄膜,得到阳极部分;(7)将阴极部分与阳极部分两者键合,得到场发射离子中和器芯片。
本发明通过对制备方法整体流程工艺的设计等进行改进,得到的器件能有效克服场屏蔽效应与热效应,具有发射效率佳、功耗低和寿命长的优点。