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专利摘要

一种调节导磁柱霍尔推力器磁分界面形态的磁路设计方法,涉及一种霍尔推力器磁分界面形态的磁路结构设计技术,为了解决现有的导磁柱霍尔推力器存在磁分界面,导致电子损失高、电子利用效率低以及推力器放电效率低的问题。
本发明通过在所述导磁柱霍尔推力器上增加上侧外壳或下侧外壳;通过改变上侧外壳或下侧外壳的位置、高度和厚度,实现调整磁分界面的形态;增设上侧外壳以增大磁分界面与推力器轴线的角度;增设下侧外壳以减小磁分界面与推力器轴线的角度;上侧外壳间隔设置在外励磁线圈外侧,并与外磁极的外边缘接触;下侧外壳间隔设置在外励磁线圈外侧,并与底板的外边缘接触。
有益效果降低电子损失、提升电子利用效率、实现推力器高效率。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010443375.0
申请日
2020-05-22
公开日
2020-09-04
公开号
CN111622912A
主分类号
/F/F03/ 机械工程;照明;加热;武器;爆破
标准类别
液力机械或液力发动机;风力、弹力或重力发动机;其他类目中不包括的产生机械动力或反推力的发动机
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

李鸿 钟超 丁永杰 魏立秋 于达仁

申请人

哈尔滨工业大学

申请人地址

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

专利摘要

一种调节导磁柱霍尔推力器磁分界面形态的磁路设计方法,涉及一种霍尔推力器磁分界面形态的磁路结构设计技术,为了解决现有的导磁柱霍尔推力器存在磁分界面,导致电子损失高、电子利用效率低以及推力器放电效率低的问题。
本发明通过在所述导磁柱霍尔推力器上增加上侧外壳或下侧外壳;通过改变上侧外壳或下侧外壳的位置、高度和厚度,实现调整磁分界面的形态;增设上侧外壳以增大磁分界面与推力器轴线的角度;增设下侧外壳以减小磁分界面与推力器轴线的角度;上侧外壳间隔设置在外励磁线圈外侧,并与外磁极的外边缘接触;下侧外壳间隔设置在外励磁线圈外侧,并与底板的外边缘接触。
有益效果降低电子损失、提升电子利用效率、实现推力器高效率。

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