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专利摘要

本发明涉及制造用于衍射光栅导光板的模具基板的方法,该方法包括以下步骤:准备在其上表面上设置有薄层电阻为0.5Ω/□或更大的网格部分的法拉第笼;将样品基板设置在法拉第笼的底表面上并在其上进行平面等离子体蚀刻以确定法拉第笼中的高蚀刻区域;准备具有倾斜表面的支撑体并将倾斜表面的下部区域布置在法拉第笼的高蚀刻区域中的支撑体布置步骤;将模具用基板设置在支撑体的倾斜表面上;以及通过使用等离子体蚀刻同时在模具用基板的一侧上形成第一倾斜图案部分并在模具用基板的另一侧上形成第二倾斜图案部分的图案化步骤,其中图案化步骤中的蚀刻速率自倾斜表面的上部区域至下部区域逐渐减小然后反转增大,并且包括第一倾斜图案部分的具有深度梯度的倾斜凹槽图案,以及第二倾斜图案部分包括深度偏差为0nm至50nm的倾斜凹槽图案。

专利状态

基础信息

专利号
CN201880052164.5
申请日
2018-08-16
公开日
2021-06-18
公开号
CN111033117B
主分类号
/F/F21/ 机械工程;照明;加热;武器;爆破
标准类别
照明
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

许殷奎 金忠完 章盛皓 辛富建 朴正岵 尹晶焕 秋素英

申请人

株式会社LG化学

申请人地址

韩国首尔

专利摘要

本发明涉及制造用于衍射光栅导光板的模具基板的方法,该方法包括以下步骤:准备在其上表面上设置有薄层电阻为0.5Ω/□或更大的网格部分的法拉第笼;将样品基板设置在法拉第笼的底表面上并在其上进行平面等离子体蚀刻以确定法拉第笼中的高蚀刻区域;准备具有倾斜表面的支撑体并将倾斜表面的下部区域布置在法拉第笼的高蚀刻区域中的支撑体布置步骤;将模具用基板设置在支撑体的倾斜表面上;以及通过使用等离子体蚀刻同时在模具用基板的一侧上形成第一倾斜图案部分并在模具用基板的另一侧上形成第二倾斜图案部分的图案化步骤,其中图案化步骤中的蚀刻速率自倾斜表面的上部区域至下部区域逐渐减小然后反转增大,并且包括第一倾斜图案部分的具有深度梯度的倾斜凹槽图案,以及第二倾斜图案部分包括深度偏差为0nm至50nm的倾斜凹槽图案。

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