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专利摘要

本发明公开了一种代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺,包括先用刷洗去除表面大颗粒,再用乳化剂浸泡控制晶片表面的吸附状态,然后用清洗剂去除晶片表面的脏污,再用含有催化剂的臭氧水清洗去除晶片表面的有机物和金属离子,之后使用清洗剂去除催化剂,最后置于异丙醇内去除晶片表面的亚微米颗粒,降低表面金属离子含量和避免水痕缺陷的产生,同时也避免了传统加热干燥过程中产生的静电,保证晶片表面不被二次污染。
本发明的清洗工艺在去除了酸洗工艺的同时,能够提高去除有机物、金属污染物和微粒的效率。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010039168.9
申请日
2020-01-14
公开日
2021-03-19
公开号
CN111185432B
主分类号
/F/F26/ 机械工程;照明;加热;武器;爆破
标准类别
干燥
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

高长有 刘敏 陈志敏 张顼

申请人

江苏京晶光电科技有限公司

申请人地址

213300 江苏省常州市溧阳市上黄科技创业园飞跃路8号

专利摘要

本发明公开了一种代替蓝宝石衬底晶片酸洗的清洗工艺,包括先用刷洗去除表面大颗粒,再用乳化剂浸泡控制晶片表面的吸附状态,然后用清洗剂去除晶片表面的脏污,再用含有催化剂的臭氧水清洗去除晶片表面的有机物和金属离子,之后使用清洗剂去除催化剂,最后置于异丙醇内去除晶片表面的亚微米颗粒,降低表面金属离子含量和避免水痕缺陷的产生,同时也避免了传统加热干燥过程中产生的静电,保证晶片表面不被二次污染。
本发明的清洗工艺在去除了酸洗工艺的同时,能够提高去除有机物、金属污染物和微粒的效率。

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