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专利摘要

本发明涉及碳化硅陶瓷管烧结用石墨槽、高性能碳化硅陶瓷管及其制备方法,所述石墨槽为具有圆弧顶角的V型石墨槽,其中:所述圆弧顶角的圆弧部分的直径=所需碳化硅陶瓷管的外径+(0.1~0.3)mm,V型石墨槽的角度α=2×arcsin(m/M)‑x,其中0≤x≤2,其中m为将碳化硅陶瓷管素坯放在平面石墨板上进行脱脂和烧结后所得碳化硅陶瓷管的外径圆度能保持在±0.1mm时对应的碳化硅陶瓷管素坯的最大单位长度质量;M为待脱脂和烧结的碳化硅陶瓷管素坯的单位长度质量,m<M≤8.0g/cm。
该石墨槽可使得碳化硅陶瓷管在烧结收缩过程结束时是最大程度贴合该圆弧顶角之中,实现了陶瓷管材的直线度、圆度和强度的提升。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010916121.6
申请日
2020-09-03
公开日
2021-07-13
公开号
CN112179147B
主分类号
/F/F27/ 机械工程;照明;加热;武器;爆破
标准类别
炉;窑;烘烤炉或蒸馏炉
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

黄政仁 张玉强 刘学建 陈忠明 杨金晶 裴兵兵 姚秀敏

申请人

中国科学院上海硅酸盐研究所

申请人地址

200050 上海市长宁区定西路1295号

专利摘要

本发明涉及碳化硅陶瓷管烧结用石墨槽、高性能碳化硅陶瓷管及其制备方法,所述石墨槽为具有圆弧顶角的V型石墨槽,其中:所述圆弧顶角的圆弧部分的直径=所需碳化硅陶瓷管的外径+(0.1~0.3)mm,V型石墨槽的角度α=2×arcsin(m/M)‑x,其中0≤x≤2,其中m为将碳化硅陶瓷管素坯放在平面石墨板上进行脱脂和烧结后所得碳化硅陶瓷管的外径圆度能保持在±0.1mm时对应的碳化硅陶瓷管素坯的最大单位长度质量;M为待脱脂和烧结的碳化硅陶瓷管素坯的单位长度质量,m<M≤8.0g/cm。
该石墨槽可使得碳化硅陶瓷管在烧结收缩过程结束时是最大程度贴合该圆弧顶角之中,实现了陶瓷管材的直线度、圆度和强度的提升。

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