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专利摘要

一种基于MOS管的温度传感器,正温度系数电压产生模块中第一PMOS管的栅极连接第二PMOS管的源极和第二电阻的一端,其源极连接第二电阻的另一端并连接电源电压,其漏极连接第二PMOS管的栅极和第一NMOS管的漏极;负温度系数电压产生模块中第二NMOS管的栅极连接第一NMOS管的源极和第一电阻的一端,其源极连接第一电阻的另一端并接地,其漏极连接第一NMOS管的栅极和第二PMOS管的漏极,调节四个MOS管的宽长比,令流经第二NMOS管和第一PMOS管的电流相等,第二NMOS管的漏极输出负温度系数电压,第一PMOS管的漏极输出正温度系数电压;输出模块将正温度系数电压减去负温度系数电压的差值信号作为温度传感器的输出信号,增大了输出信号随温度变化的摆幅,提高了温度传感器的灵敏度。

专利状态

基础信息

专利号
CN202011231226.4
申请日
2020-11-06
公开日
2021-07-27
公开号
CN112345103B
主分类号
/G/G01/ 物理
标准类别
测量;测试
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

李靖 余先银 尧博文 田明 宁宁 于奇

申请人

电子科技大学 上海华力微电子有限公司

申请人地址

611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

专利摘要

一种基于MOS管的温度传感器,正温度系数电压产生模块中第一PMOS管的栅极连接第二PMOS管的源极和第二电阻的一端,其源极连接第二电阻的另一端并连接电源电压,其漏极连接第二PMOS管的栅极和第一NMOS管的漏极;负温度系数电压产生模块中第二NMOS管的栅极连接第一NMOS管的源极和第一电阻的一端,其源极连接第一电阻的另一端并接地,其漏极连接第一NMOS管的栅极和第二PMOS管的漏极,调节四个MOS管的宽长比,令流经第二NMOS管和第一PMOS管的电流相等,第二NMOS管的漏极输出负温度系数电压,第一PMOS管的漏极输出正温度系数电压;输出模块将正温度系数电压减去负温度系数电压的差值信号作为温度传感器的输出信号,增大了输出信号随温度变化的摆幅,提高了温度传感器的灵敏度。

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