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专利摘要

光检测装置具备一维排列有多个像素的半导体基板。
光检测装置在每个像素具有以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管、串联地电连接于对应的雪崩光电二极管的多个灭弧电阻、对来自多个雪崩光电二极管的输出信号进行处理的信号处理部。
多个雪崩光电二极管的受光区域在每个像素二维排列。
各信号处理部具有栅极接地电路和电连接于栅极接地电路的电流镜电路。
在栅极接地电路,通过多个灭弧电阻电连接有对应的像素的多个雪崩光电二极管。
电流镜电路输出与来自多个雪崩光电二极管的输出信号对应的信号。

专利状态

基础信息

专利号
CN201780069330.8
申请日
2017-11-09
公开日
2021-07-27
公开号
CN109923383B
主分类号
/G/G01/ 物理
标准类别
测量;测试
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

马场隆 足立俊介 中村重幸 永野辉昌 山本晃永

申请人

浜松光子学株式会社

申请人地址

日本静冈县

专利摘要

光检测装置具备一维排列有多个像素的半导体基板。
光检测装置在每个像素具有以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管、串联地电连接于对应的雪崩光电二极管的多个灭弧电阻、对来自多个雪崩光电二极管的输出信号进行处理的信号处理部。
多个雪崩光电二极管的受光区域在每个像素二维排列。
各信号处理部具有栅极接地电路和电连接于栅极接地电路的电流镜电路。
在栅极接地电路,通过多个灭弧电阻电连接有对应的像素的多个雪崩光电二极管。
电流镜电路输出与来自多个雪崩光电二极管的输出信号对应的信号。

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