本发明提供一种带浮栅的分离栅平面型MOSFET器件，包括重掺杂第一导电类型衬底、第一导电类型漂移区、第二导电类型半导体阱区、重掺杂第一导电类型源区、重掺杂第二导电类型欧姆接触区、多晶硅栅电极、第一介质层、多晶硅浮栅、第二介质层、源极金属、第三介质层；本发明在常规分离栅平面型VDMOS的两块分离栅之间加入了一块浮空栅，浮空栅的存在能够降低分离栅尖角处介质层内电场强度，提高器件的可靠性，同时浮空栅还能起到浮空场板的作用，降低基区‑漂移区PN结处的电场强度，增大器件击穿电压。
相比于常规VDMOS来说，本发明中的器件结构兼具较好的静态特性和动态特性。

涂俊杰 顾航 高巍 戴茂州

成都蓉矽半导体有限公司

610041 四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号

本发明提供一种带浮栅的分离栅平面型MOSFET器件，包括重掺杂第一导电类型衬底、第一导电类型漂移区、第二导电类型半导体阱区、重掺杂第一导电类型源区、重掺杂第二导电类型欧姆接触区、多晶硅栅电极、第一介质层、多晶硅浮栅、第二介质层、源极金属、第三介质层；本发明在常规分离栅平面型VDMOS的两块分离栅之间加入了一块浮空栅，浮空栅的存在能够降低分离栅尖角处介质层内电场强度，提高器件的可靠性，同时浮空栅还能起到浮空场板的作用，降低基区‑漂移区PN结处的电场强度，增大器件击穿电压。
相比于常规VDMOS来说，本发明中的器件结构兼具较好的静态特性和动态特性。