球状Ag@T‑ZnOw粉体的制备方法以及制备高介电聚合物复合薄膜的方法和应用，涉及一种球状复合粉体的制备方法及其应用。
本发明要解决球状纳米银作为增强相因无法产生量子遂穿效应导致很难满足现代微电容器和传感器对介电性能的需求的技术问题。
本发明以硝酸银、聚乙烯吡咯烷酮和乙二醇为原料制备球状Ag然后加入四针状氧化锌，反应后洗涤、离心、烘干得到球状Ag@T‑ZnOw粉体。
采用铺膜和压片制备介电聚合物复合薄膜。
本发明球状Ag@T‑ZnOw粉体可发生量子遂穿效应，具有优良的电学性能，加入聚合物基体后，可以制备传感器，微电容器等器件，具有广阔的应用前景。

翁凌 罗金玉 关丽珠 张笑瑞 刘立柱

哈尔滨理工大学

150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号

球状Ag@T‑ZnOw粉体的制备方法以及制备高介电聚合物复合薄膜的方法和应用，涉及一种球状复合粉体的制备方法及其应用。
本发明要解决球状纳米银作为增强相因无法产生量子遂穿效应导致很难满足现代微电容器和传感器对介电性能的需求的技术问题。
本发明以硝酸银、聚乙烯吡咯烷酮和乙二醇为原料制备球状Ag然后加入四针状氧化锌，反应后洗涤、离心、烘干得到球状Ag@T‑ZnOw粉体。
采用铺膜和压片制备介电聚合物复合薄膜。
本发明球状Ag@T‑ZnOw粉体可发生量子遂穿效应，具有优良的电学性能，加入聚合物基体后，可以制备传感器，微电容器等器件，具有广阔的应用前景。