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专利摘要

本发明公开一种自动富集离子的离子门控制方法,实现离子迁移谱检测灵敏度的提高。
在离子门开门期间,两组门电极保持相同的电势,于离子迁移管内形成均匀初始电场;在离子门关门期间,升高其中一组门电极的电势,使其与电离区内紧邻离子门的环状电极保持相同电势,于电离区中形成沿离子源至离子门方向逐渐降低的离子富集电场;离子富集电场的强度低于初始电场的强度,电离源产生的离子向着离子门运动的过程中,离子数密度升高;离子门再起开启时,电离区内恢复初始电场,离子门前被富集离子的离子电流密度被增强,从而在同一离子门有效开门时间下获得更强的离子谱峰信号。
本发明无需对离子迁移管进行特殊改造,方法简单,普适性强。

专利状态

基础信息

专利号
CN202011329428.2
申请日
2020-11-24
公开日
2021-07-27
公开号
CN112490108B
主分类号
/H/H01/ 电学
标准类别
基本电气元件
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

陈创 厉梅 蒋丹丹 肖瑶 李海洋

申请人

中国科学院大连化学物理研究所

申请人地址

116023 辽宁省大连市沙河口区中山路457-41号

专利摘要

本发明公开一种自动富集离子的离子门控制方法,实现离子迁移谱检测灵敏度的提高。
在离子门开门期间,两组门电极保持相同的电势,于离子迁移管内形成均匀初始电场;在离子门关门期间,升高其中一组门电极的电势,使其与电离区内紧邻离子门的环状电极保持相同电势,于电离区中形成沿离子源至离子门方向逐渐降低的离子富集电场;离子富集电场的强度低于初始电场的强度,电离源产生的离子向着离子门运动的过程中,离子数密度升高;离子门再起开启时,电离区内恢复初始电场,离子门前被富集离子的离子电流密度被增强,从而在同一离子门有效开门时间下获得更强的离子谱峰信号。
本发明无需对离子迁移管进行特殊改造,方法简单,普适性强。

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