一种Si-LaB - 弹指间专利网

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专利摘要

本发明属于阴极场发射技术领域，特别涉及一种Si‑LaB

专利状态

基础信息

专利号: CN202010588684.7
申请日: 2020-06-24
公开日: 2021-07-27
公开号: CN111681934B

主分类号: /H/H01/ 电学
标准类别: 基本电气元件
批准发布部门: 国家知识产权局
专利状态: 有效专利

发明人

王小菊姚旭日祁康成曹贵川查林宏

申请人

电子科技大学

申请人地址

610054 四川省成都市郫都区西源大道2006号

专利摘要

本发明属于阴极场发射技术领域，特别涉及一种Si‑LaB

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