本发明公开了一种倒装LED芯片及其制备方法，属于芯片技术领域。
本发明提出的倒装LED芯片，包括ITO层，ITO层的一侧具有粗糙表面；复合反射层，复合反射层包括沿粗糙表面依次叠加的银镜层、二氧化硅层和DBR层。
本发明中，由于ITO层的粗糙表面，增加了ITO层与银镜层之间的粘结强度，因此可省略传统倒装LED芯片中，ITO层与银镜层之间的金属粘结层，节约了成本，提升了亮度；二氧化硅层，兼具绝缘层和银镜层的保护层的作用，因此可省略传统倒装LED芯片中，金属保护层的设置，节约了成本，增加了良率。

梁福盛 肖祖峰 黄嘉明 张超宇 丁亮

中山德华芯片技术有限公司

528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层

本发明公开了一种倒装LED芯片及其制备方法，属于芯片技术领域。
本发明提出的倒装LED芯片，包括ITO层，ITO层的一侧具有粗糙表面；复合反射层，复合反射层包括沿粗糙表面依次叠加的银镜层、二氧化硅层和DBR层。
本发明中，由于ITO层的粗糙表面，增加了ITO层与银镜层之间的粘结强度，因此可省略传统倒装LED芯片中，ITO层与银镜层之间的金属粘结层，节约了成本，提升了亮度；二氧化硅层，兼具绝缘层和银镜层的保护层的作用，因此可省略传统倒装LED芯片中，金属保护层的设置，节约了成本，增加了良率。