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用于原子层沉积工艺的进气系统和控制方法

申请号: CN201811149949.2
申请人: 北京北方华创微电子装备有限公司
申请日期: 2018年9月29日

摘要文本

本发明实施例公开了一种用于原子层沉积工艺的进气系统和控制方法,其中的进气系统包括:连通匀流腔与反应腔体的第三管路,用于在吹扫阶段将匀流腔中的第一反应前驱物或第二反应前驱物经由反应腔体输送入前级真空管线。本发明的用于原子层沉积工艺的进气系统和控制方法,能够有效地隔离两种不同反应前驱物且实现快速交替切换,可以稳定控制反应前驱物的流量,能够稳定控制反应腔体内部的工艺压力,可以有效地降低工艺过程中因压力或流量波动造成的颗粒的产生,能够正向提高ALD成膜的均匀性,提高成膜良率。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 用于原子层沉积工艺的进气系统和控制方法
专利类型 发明授权
申请号 CN201811149949.2
申请日 2018年9月29日
公告号 CN109182999B
公开日 2024年3月26日
IPC主分类号 C23C16/455
权利人 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人 魏景峰; 傅新宇; 荣延栋
地址 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号

专利主权项内容

1.一种用于原子层沉积工艺的进气系统,其特征在于,包括:连通匀流腔与反应腔体的第三管路,用于在吹扫阶段将所述匀流腔中的第一反应前驱物或第二反应前驱物经由所述反应腔体输送入前级真空管线,所述第三管路设置在所述匀流腔和所述反应腔体的外部。