半导体器件及其形成方法

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（来源 马克数据网） 。1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有初始鳍部；形成第一伪栅极结构和第二伪栅极结构，第一伪栅极结构和第二伪栅极结构均横跨初始鳍部，第二伪栅极结构位于部分相邻的第一伪栅极结构之间，第二伪栅极结构包括第二伪栅极结构本体；刻蚀去除第二伪栅极结构本体以及第二伪栅极结构本体底部的初始鳍部，在所述初始鳍部中形成凹槽，所述凹槽将初始鳍部分割，形成位于凹槽两侧的鳍部；形成层间介质层，所述层间介质层位于第一伪栅极结构上、以及凹槽周围的半导体衬底和鳍部上，在形成层间介质层的过程中形成位于凹槽中的槽隔离层；形成所述凹槽后，在所述半导体衬底上、鳍部的表面、凹槽的内壁、以及第一伪栅极结构的侧壁和顶部形成初始刻蚀阻挡层；在所述初始刻蚀阻挡层上形成初始介质层，初始介质层的顶部表面高于第一伪栅极结构的顶部表面，所述初始介质层填充满所述凹槽；平坦化所述初始介质层和所述初始刻蚀阻挡层直至暴露出第一伪栅极结构的顶部表面，使初始刻蚀阻挡层形成刻蚀阻挡层和槽保护层，使初始介质层形成所述层间介质层和槽隔离层；形成初始介质层的步骤包括：在所述初始刻蚀阻挡层上形成第一介质层，第一介质层的顶部表面高于鳍部的顶部表面且低于第一伪栅极结构的顶部表面、且低于第二侧墙的顶部表面，所述第一介质层还位于鳍部之间的凹槽中、以及第二侧墙之间的部分凹槽中；在第一介质层上形成第二初始介质层，第二初始介质层覆盖第一伪栅极结构且位于第二侧墙之间的凹槽中，第二初始介质层和第一介质层构成初始介质层；第二初始介质层的硬度大于第一介质层的硬度。