进气装置、进气方法及半导体加工设备

专利主权项内容

1.一种进气方法，应用于进气装置，其特征在于，所述进气装置包括第一进气管路、等离子体发生器、第二进气管路、第三进气管路、抽气装置和抽气管路，以向反应腔室内通入第一前驱体、第二前驱体和等离子体，所述抽气管路的两端分别与所述抽气装置和所述第二进气管路连接；所述进气方法包括以下步骤：通过所述第三进气管路向所述反应腔室内通入第二前驱体；通过所述第一进气管路向所述反应腔室内通入所述第一前驱体；通过所述等离子体发生器形成等离子体，并通过所述第二进气管路向所述反应腔室内通入所述等离子体；循环通入所述第二前驱体、所述第一前驱体和所述等离子体，其中所述等离子体在所述第二前驱体和所述第一前驱体后通入，或多次循环通入所述第二前驱体和所述第一前驱体后，再通入所述等离子体；在向所述反应腔室通入所述第一前驱体或者所述第二前驱体的过程中，开启所述第三进气管路上的通断阀为所述反应腔室通入第二前驱体或开启所述第一进气管路上的通断阀为反应腔室通入所述第一前驱体，同时向所述等离子体发生器内通入用于形成等离子体的气体，且开启所述抽气管路上的通断阀以及关闭所述第二进气管路上的通断阀，使等离子体通过所述抽气管路进入所述抽气装置，以形成稳定的所述等离子体；在所述第一前驱体和所述第二前驱体反应后，所述第三进气管路上的通断阀、所述第一进气管路上的通断阀以及所述抽气管路上的通断阀均关闭，所述第二进气管路上的通断阀开启，以将稳定的所述等离子体通入所述反应腔室内以形成氧化铪薄膜。