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一种pH传感器及其制备方法
摘要文本
本发明公开了一种pH传感器及其制备方法。该pH传感器包括绝缘衬底材料、沉积在该绝缘衬底材料上的MoS2薄膜、源电极、漏电极以及电介质材料；其中，源电极、漏电极与电介质材料形成在MoS2薄膜周围构成封闭的传感器槽。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗衬底，在衬底上涂一层光刻胶；(2)在光刻胶上曝光形成MoS2薄膜沉积区域；(3)使用化学气相沉积技术在该区域沉积MoS2，形成MoS2薄膜；(4)去除光刻胶保留MoS2薄膜图形，然后在MoS2薄膜图形的外侧形成源电极和漏电极；(5)沉积电介质材料形成传感器槽，得到pH传感器的器件单元。本发明构建的pH传感器电学信号优越，灵敏度高，且具有良好的稳定性。
申请人信息
- 申请人:有研工程技术研究院有限公司
- 申请人地址:101407 北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号
- 发明人: 有研工程技术研究院有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种pH传感器及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201811514391.3 |
| 申请日 | 2018年12月11日 |
| 公告号 | CN111307911B |
| 公开日 | 2024年1月9日 |
| IPC主分类号 | G01N27/414 |
| 权利人 | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 发明人 | 赵鸿滨; 屠海令; 魏峰; 张国成 |
| 地址 | 北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号 |
专利主权项内容
1.一种pH传感器，其特征在于，包括绝缘衬底材料、沉积在该绝缘衬底材料上的MoS薄膜、源电极、漏电极以及电介质材料；其中，源电极、漏电极与电介质材料形成在MoS薄膜周围构成封闭的传感器槽；所述pH传感器的制备方法包括以下步骤：22(1)清洗衬底，在衬底上涂一层光刻胶；(2)在光刻胶上曝光形成MoS薄膜沉积区域；2(3)使用化学气相沉积技术在该区域沉积MoS，形成MoS薄膜；22(4)去除光刻胶保留MoS薄膜图形，然后在MoS薄膜图形的外侧形成源电极和漏电极；源电极与漏电极的厚度均为500nm，两个电极之间间隔10μm；22(5)使用光刻以及磁控溅射方法生长HfO电介质层，厚度为500nm，形成传感器槽，得到pH传感器的器件单元。2