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一种阵列基板及其制作方法、显示面板
摘要文本
本发明涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板,该阵列基板,包括:衬底基板,衬底基板具有弯折区域和非弯折区域;阵列分布于衬底基板上的薄膜晶体管开关,每一个薄膜晶体管包括源漏电极层和位于源漏电极层与衬底基板之间的功能结构层,其中 : 至少一部分位于弯折区域的薄膜晶体管开关具有的源漏电极层形成有开口方向背离衬底基板的第一凹陷。上述阵列基板通过改变自身结构为位于弯折区域的薄膜晶体管内的源漏电极提供了一个应力预补偿,使得弯折区域在弯折时可以更好的释放应力,可提高阵列基板的耐弯折性能,提高显示面板的产品良率。
申请人信息
- 申请人:京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址:100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 发明人: 京东方科技集团股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810157036.9 |
| 申请日 | 2018年2月24日 |
| 公告号 | CN108364961B |
| 公开日 | 2024年3月1日 |
| IPC主分类号 | H01L27/12 |
| 权利人 | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 发明人 | 张帅; 左岳平; 盖人荣; 陈善韬 |
| 地址 | 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |
专利主权项内容
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板,所述衬底基板具有弯折区域和非弯折区域;阵列分布于所述衬底基板上的薄膜晶体管开关,每一个所述薄膜晶体管包括源漏电极层和位于所述源漏电极层与所述衬底基板之间的功能结构层,其中 : 至少一部分位于所述弯折区域的所述薄膜晶体管开关具有的源漏电极层形成有开口方向背离所述衬底基板的第一凹陷;每一个源漏电极层形成第一凹陷的薄膜晶体管中,功能结构层设有位于所述源漏电极层与所述衬底基板之间的通孔,所述通孔内填充有填充层,且所述填充层背离所述衬底基板的表面形成有与所述源漏电极层的第一凹陷形状对应的第二凹陷;所述第一凹陷的表面形成有多个第一子凹陷,每个所述第一子凹陷的开口朝向背离所述衬底基方向;每一个源漏电极层形成第一凹陷的薄膜晶体管中,所述通孔包括贯穿一部分所述功能结构层的第一通孔和位于所述第一通孔背离所述衬底基板一侧的且贯穿另一部分功能结构层的第二通孔,且所述第一通孔与所述第二通孔连通,所述第二通孔的孔径大于所述第一通孔的孔径。