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一种基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器
摘要文本
一种基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器，结构从上到下依次为氮化硼层、金属电极、二硒化钨层和柔性基底；二硒化钨层两端与金属电极相连；二硒化钨层的上表面被氮化硼层完全覆盖；所述二硒化钨层为二维材料，即厚度方向仅有单层原子或少数几层原子，少数几层为1‑10层；本发明采用二硒化钨作为核心敏感材料，利用二硒化钨对应力敏感的特性(压阻特性)进行应力检测，氮化硼作为保护层，使应力传感器的抗弯折能力强、具有较大的量程、灵敏度高、体积小、易加工、长期稳定性好等特点。
申请人信息
- 申请人:清华大学
- 申请人地址:100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
- 发明人: 清华大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201811326761.0 |
| 申请日 | 2018年11月8日 |
| 公告号 | CN109297622B |
| 公开日 | 2024年2月2日 |
| IPC主分类号 | G01L1/18 |
| 权利人 | 清华大学 |
| 发明人 | 李鹏; 耿策洋 |
| 地址 | 北京市海淀区清华大学 |
专利主权项内容
1.一种基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器，其特征在于，用于检测关节部位的运动情况，结构从上到下依次为氮化硼层(1-1)、金属电极(1-2)、二硒化钨层(1-3)和柔性基底(1-4)；二硒化钨层(1-3)两端与金属电极(1-2)相连；二硒化钨层(1-3)的上表面被氮化硼层(1-1)完全覆盖；所述二硒化钨层(1-3)为二维材料，即厚度方向仅有单层原子或少数几层原子，所述的少数几层为1-10层；所述金属电极(1-2)材料选用Au、Ag、Cu、Al、Pt中的任意一种，厚度为20-200纳米。