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一种片上微型电子源及其制造方法

申请号: CN201811340399.2
申请人: 北京大学
申请日期: 2018年11月12日

摘要文本

本申请公开了一种片上微型电子源及其制造方法。该片上微型电子源中设置有导热层,并且同一电极对中的至少一个电极通过绝缘层的通孔与导热层连接,如此,该片上微型电子源产生的热量可以通过该电极和导热层散发出去,从而显著提高了片上电子源的散热能力,因而,该片上微型电子源能够将多个单电子源集成在同一衬底上,形成集成度较高的电子源集成阵列,从而使该片上电子源具有较大的整体发射电流,进而使其满足较多的应用需求。例如,本申请提供的片上微型电子源可以广泛地应用于涉及电子源的各种电子器件,例如X射线管、微波管、平板显示器等。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种片上微型电子源及其制造方法
专利类型 发明授权
申请号 CN201811340399.2
申请日 2018年11月12日
公告号 CN109285740B
公开日 2024年2月9日
IPC主分类号 H01J3/02
权利人 北京大学
发明人 魏贤龙; 杨威
地址 北京市海淀区颐和园路5号

专利主权项内容

1.一种片上微型电子源,其特征在于,包括:导热层;位于所述导热层上面的绝缘层,所述绝缘层由阻变材料制成,所述绝缘层中设置有至少一个通孔;以及,位于所述绝缘层上面的至少一个电极对,所述电极对中的至少一个电极通过所述通孔与所述导热层接触连接;其中,所述电极对的两电极之间存在间隙;控制所述间隙下方的绝缘层被软击穿并呈现阻变特性,以在所述间隙下方的绝缘层区域内形成遂穿结。