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自适应NVM命令生成方法与装置
摘要文本
本申请涉及存储设备技术领域，尤其涉及自适应NVM命令生成方法与装置，其中自适应NVM命令生成方法包括：获取读NVM芯片提供的LUN的读消息；识别读消息所形成的访问模式；根据访问模式生成NVM接口命令。本申请通过根据数据访问的特点，而自适应地选择不同的读命令，提升了存储设备的性能。 （来 自 马 克 数 据 网）
申请人信息
- 申请人:北京忆恒创源科技股份有限公司
- 申请人地址:100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B-2号楼A302室
- 发明人: 北京忆恒创源科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 自适应NVM命令生成方法与装置 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810581871.5 |
| 申请日 | 2018年6月7日 |
| 公告号 | CN110580227B |
| 公开日 | 2024年4月12日 |
| IPC主分类号 | G06F12/02 |
| 权利人 | 北京忆恒创源科技股份有限公司 |
| 发明人 | 路向峰 |
| 地址 | 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B-2号楼A302室 |
专利主权项内容
1.一种自适应NVM命令生成方法，包括：获取读NVM芯片提供的LUN的读消息；识别读消息所形成的访问模式；根据访问模式生成NVM接口命令；若识别的访问模式为连续物理地址访问模式，则生成的NVM接口命令为普通读命令，其中普通读命令指示从LUN中读出完整物理页的数据。