面阵列像素探测器、辐射探测系统及辐射场探测方法
摘要文本
本发明提供一种面阵列像素探测器、辐射探测系统及辐射场探测方法,包括:位于探测介质的第一表面的像素阵列阳极;位于探测介质的第二表面的阴极,阴极包括若干阴极电极块,各阴极电极块相互独立。本发明中同时到达阴极面不同位置的光子,会从连接不同分区的阴极电极块读出信号,达到了正确区分同时到达的光子信号的目的;同时通过系统自我计算判断实现高、中、低,各种强度辐射场灵活应用的方式,提高了探测系统的应用范围和灵活处理能力;能够让系统操作人员在不需要额外配置的情况下,简便直接的使用同一种探测系统设备,得到不同辐射场强度情况下准确的测量结果,为后续的环境处理处置提供最快速有效的依据。
申请人信息
- 申请人:张岚
- 申请人地址:100080 北京市海淀区苏州街乙29号人才服务中心20041601号
- 发明人: 张岚
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 面阵列像素探测器、辐射探测系统及辐射场探测方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810095146.7 |
| 申请日 | 2018年1月31日 |
| 公告号 | CN108445525B |
| 公开日 | 2024年3月19日 |
| IPC主分类号 | G01T1/24 |
| 权利人 | 张岚 |
| 发明人 | 张岚; 顾铁; 刘柱; 王伟 |
| 地址 | 山东省临沂市沂水县沂水镇正阳路9号 |
专利主权项内容
1.一种辐射场探测方法,其特征在于,所述辐射场探测方法至少包括:S1:根据探测系统的信号读出速度和信号分析速度,计算出探测系统能达到的时间分辩能力;S2:根据所述时间分辩能力设定死时间限值;S3:根据所述死时间限值对不同的辐射场进行等级划分,根据确定的辐射场等级对探测器的阴极进行分区并进行探测;S4:从探测器的像素阵列阳极及分区的阴极分别获取时间和幅度信息,以得到检测结果;其中,通过理论计算于探测之前确定辐射场等级,探测时根据确定的辐射场等级对所述阴极进行分区;步骤S3包括:步骤S310:模拟探测系统,将辐射场的强度从小到大逐步增大,并分别对不同辐射强度下所述探测系统中产生的射线光子的叠加计算死时间,将计算得到的各死时间与所述死时间限值比较;步骤S320:若未超出所述死时间限值,则继续增大辐射强度,并返回步骤S310;若超出所述死时间限值,则将对应辐射强度设定为下一辐射场等级,并对所述阴极进一步分区后返回步骤S310;直至需要的辐射强度对应的辐射场均被分级;步骤S330:将待测辐射场的强度与各辐射场等级进行比较,将现场探测的辐射场对应到相应的辐射场等级中,并根据确定的辐射场等级对所述阴极进行对应数量的分区,分区后进行探测;或者,通过现场测试确定待测试辐射场对应的辐射场等级,并进行所述阴极的分区,分区后进行探测;步骤S3包括:步骤S311:对待测辐射场在所述探测系统中产生的射线光子的叠加计算死时间,将计算得到的死时间与所述死时间限值比较;步骤S321:若未超出所述死时间限值,则以当前阴极的分区情况进行探测;若超出所述死时间限值,则所述待测辐射场的等级设定为下一级,对当前阴极进一步分区,并返回步骤S311。