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芯片结构、及其封装方法以及电子设备
摘要文本
本发明实施例公开了一种芯片结构、封装方法以及电子设备，该芯片包括晶元(DIE)和电路基板，电路基板包括第一焊盘(VSS)、第二焊盘(VDDS)和第三焊盘(VDDM)，其特征在于，所述晶元(DIE)布置在第一焊盘(VSS)上，晶元(DIE)在第一焊盘(VSS)的映射面在第一焊盘(VSS)边框内。相比于现有技术，在本发明实施例中，晶元(DIE)布置在第一焊盘(VSS)上，晶元(DIE)在第一焊盘(VSS)的映射面在第一焊盘(VSS)边框内，晶元(DIE)不会横跨2个或者多个Pad上，不会造成晶元(DIE)在封装过程中受力不均，因而不会产生芯片裂片损失，保证了芯片生产的良率。
申请人信息
- 申请人:北京比特大陆科技有限公司
- 申请人地址:100192 北京市海淀区奥北科技园25号楼2层
- 发明人: 北京比特大陆科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 芯片结构、及其封装方法以及电子设备 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201810792234.2 |
| 申请日 | 2018年7月18日 |
| 公告号 | CN108735708B |
| 公开日 | 2024年1月19日 |
| IPC主分类号 | H01L23/498 |
| 权利人 | 北京比特大陆科技有限公司 |
| 发明人 | 易泓历 |
| 地址 | 北京市大兴区北京经济技术开发区科谷一街8号院8号楼8层801 |
专利主权项内容
1.一种芯片结构，该芯片包括晶元(DIE)和电路基板，电路基板包括第一焊盘(VSS)、第二焊盘(VDDS)和第三焊盘(VDDM)，其特征在于，所述晶元(DIE)布置在第一焊盘(VSS)上，晶元(DIE)在第一焊盘(VSS)的映射面在第一焊盘(VSS)边框内；其特征在于，所述电路基板进一步包括绝缘层、金属层，其中：所述绝缘层的第一面上设置有所述金属层，所述绝缘层背离所述金属层的第二面上分别设置有所述第一焊盘(VSS)、第二焊盘(VDDS)和第三焊盘(VDDM)；所述第一焊盘为所述电路基板的电源输出焊盘，为晶元(DIE)的接地端，所述第二焊盘(VDDS)和第三焊盘(VDDM)为所述电路基板的电源输入焊盘，为晶元(DIE)的电源端；所述第二焊盘(VDDS)和第三焊盘(VDDM)位于所述第一焊盘(VSS)的对称两侧；所述电路基板进一步包括第四焊盘，其中：所述第四焊盘设置在所述第一焊盘(VSS)的剩余两侧中的一侧；其中，所述第二焊盘、所述第三焊盘和所述第四焊盘通过铜柱与电源输入焊点连接。