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一种SSD及其数据掉电保护方法、系统、装置
摘要文本
本申请公开了一种SSD的数据掉电保护方法、系统及装置，包括：分别在DRAM和FRAM中写入同步数据；当SSD异常掉电，将缓存数据保存到所述FRAM中，并在所述FRAM中写入异常掉电标志；其中，所述缓存数据包括内部寄存器和cache中的数据。由于本申请中DRAM中的数据已经作为同步数据写入FRAM中，在SSD异常掉电时只需要再将缓存数据保存到FRAM中即可，而缓存数据较少，保存到FRAM的过程耗电量较少，除超级电容外的其他电容就可以作为供电模块为该保存动作提供电量，避免了使用超级电容时焊接复杂、占用空间大的问题。本申请还相应公开了一种SSD，具有相同的有益效果。
申请人信息
- 申请人:浪潮(北京)电子信息产业有限公司
- 申请人地址:100085 北京市海淀区上地信息路2号2-1号C栋1层
- 发明人: 浪潮(北京)电子信息产业有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种SSD及其数据掉电保护方法、系统、装置 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201811504789.9 |
| 申请日 | 2018年12月10日 |
| 公告号 | CN109597773B |
| 公开日 | 2024年1月23日 |
| IPC主分类号 | G06F12/16 |
| 权利人 | 浪潮(北京)电子信息产业有限公司 |
| 发明人 | 徐玉坤 |
| 地址 | 北京市海淀区上地信息路2号2-1号C栋1层 |
专利主权项内容
1.一种SSD的数据掉电保护方法，其特征在于，包括：分别在DRAM和FRAM中写入同步数据；当SSD异常掉电，将缓存数据保存到所述FRAM中，并在所述FRAM中写入异常掉电标志；其中，所述缓存数据包括内部寄存器和cache中的数据；所述分别在DRAM和FRAM中写入同步数据的过程，具体包括：同时在DRAM和FRAM中写入同步数据；所述数据掉电保护方法还包括：当所述SSD重新上电，检测所述FRAM中是否存在所述异常掉电标志；如果是，读取所述缓存数据，并将所述FRAM中的所述同步数据写入所述DRAM中；如果否，直接将所述FRAM中的所述同步数据写入所述DRAM中；其中，所述同步数据用于保证所述DRAM和所述FRAM中的数据相一致。 该数据由<马克数据网>整理