沟槽功率器件及制作方法

专利主权项内容

1.一种沟槽功率器件的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽；在所述第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽的底壁形成第一介质层；在所述半导体衬底表面及所述第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽的侧壁上生长栅介电层；在所述第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽内形成填充材料层并填充满所述第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽，所述填充材料层不掺杂；在填满所述填充材料层后的第一沟槽所在区域上形成第一阻止层；对所述第二沟槽及第三沟槽内的所述填充材料层进行掺杂；去除所述第一阻止层；进行平坦化，使得所述半导体衬底表面裸露出栅介电层和填充材料层，且所述栅介电层和填充材料层的上表面齐平；在所述半导体衬底中第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽两侧形成P阱；在所述半导体衬底中第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽两侧所述P阱上形成N型区，在所述第一沟槽内的一部分填充材料层中形成第一掺杂区；在所述第一沟槽内的另一部分填充材料层中形成第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区间隔分布，且掺杂类型不同；刻蚀所述第一沟槽中的填充材料层形成紧靠所述第一沟槽的侧壁并暴露出所述第一介质层和所述栅介电层的凹槽，剩余第一掺杂区和第二掺杂区共同作为静电隔离结构；在所述半导体衬底上形成第二介质层，所述第二介质层填充所述凹槽；刻蚀所述第二介质层以形成接触孔，所述接触孔分别延伸至第一沟槽的第一掺杂区中、第二沟槽的填充材料层中及第三沟槽一侧的P阱中；以及在所述接触孔底部形成P型区。