电平转换电路
摘要文本
本发明公开了一种电平转换电路，该电路包括第一倒相器、第二倒相器、第三倒相器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、初级NPN管组、第三PMOS管、第四PMOS管。其中，初级NPN管组包括第一NPN管和第二NPN管。该电平转换电路能够保证在电平转换电路的外部电源电压超过内部MOS管的击穿电压的情况下，使得所有的MOS管的工作点不超过其的击穿电压而使得其工作在安全工作电压范围内，从而既能够保证所需的电平转换性能，又能够提高电路的可靠性，以保证电路的正常工作。 微信公众号马克 数据网
申请人信息
- 申请人:上海安其威微电子科技有限公司
- 申请人地址:201210 上海市浦东新区张东路1387号51幢02栋
- 发明人: 上海安其威微电子科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 电平转换电路 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201710059449.9 |
| 申请日 | 2017年1月24日 |
| 公告号 | CN108233917B |
| 公开日 | 2024年2月23日 |
| IPC主分类号 | H03K19/0175 |
| 权利人 | 上海安其威微电子科技有限公司 |
| 发明人 | 陆建华; 马杰; 周帅林 |
| 地址 | 上海市浦东新区上海浦东新区亮秀路112号Y1座508室 |
专利主权项内容
1.一种电平转换电路，其特征在于，包括：第一倒相器，其输入端输入输入信号IN；第二倒相器，其输入端与第一倒相器的输出端连接；第三倒相器，其输入端与第二倒相器的输出端连接；第一NMOS管，其源极端接地，栅极端连接第一倒相器的输出端；第二NMOS管，其源极端接地，栅极端连接第二倒相器的输出端；第三NMOS管，其源极端接地，栅极端连接第三倒相器的输出端；第四NMOS管，其源极端连接第一NMOS管的漏极端；第五NMOS管，其源极端连接第二NMOS管的漏极端；第六NMOS管，其源极端连接第三NMOS管的漏极端；第一PMOS管；第二PMOS管；初级NPN管组，其包括第一NPN管和第二NPN管，第一NPN管的集电极与第一PMOS管的漏极端连接，基极与集电极连接，发射极与第四NMOS管的漏极端连接，第二NPN管的集电极与第二PMOS管的漏极端连接，基极与集电极连接，发射极与第五NMOS管的漏极端连接；第三PMOS管，栅极端与第二PMOS管的漏极端连接；第四PMOS管，其源极端与第三PMOS管的漏极端连接，漏极端与第六NMOS管的漏极端连接，其中，从第四PMOS管的源极端输出输出信号OUT。