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一种自适应偏置的射频功率放大器

申请号: CN201711161190.5
申请人: 锐迪科微电子科技(上海)有限公司
申请日期: 2017年11月21日

摘要文本

本申请公开了一种自适应偏置的射频功率放大器,包括放大电路和偏置电路。放大电路中具有功率晶体管,偏置电路中具有偏置晶体管,偏置晶体管的发射极通过电阻连接功率晶体管的基极为其提供偏置电流和/或偏置电压。偏置电路中还有一条电容串联支路,至少为两个电容串联构成;该电容串联支路的一端连接功率晶体管的基极,另一端接地。本申请降低了功率晶体管的基极‑集电极寄生电容对线性度的不利影响,改善了射频功率放大器的AM‑PM失调;延缓了射频功率放大器的增益压缩现象,改善了射频功率放大器的AM‑AM失调。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种自适应偏置的射频功率放大器
专利类型 发明授权
申请号 CN201711161190.5
申请日 2017年11月21日
公告号 CN109818587B
公开日 2024年2月27日
IPC主分类号 H03F3/19
权利人 锐迪科微电子科技(上海)有限公司
发明人 章乐; 李啸麟; 陈文斌; 徐李娅; 贾斌
地址 上海市浦东新区碧波路690号4号楼601-1室

专利主权项内容

1.一种自适应偏置的射频功率放大器,包括放大电路和偏置电路;放大电路中具有功率晶体管,偏置电路中具有偏置晶体管,偏置晶体管的发射极通过电阻连接功率晶体管的基极为其提供偏置电流和/或偏置电压;其特征是,偏置电路中还有一条电容串联支路,至少为两个电容串联构成;该电容串联支路的一端连接功率晶体管的基极,另一端接地,所述电容串联支路中的至少一个电容连接功率晶体管的基极和偏置晶体管的基极,所述电容串联支路中的至少另一个电容接地。